삼성전자, HBM4 두뇌 ‘로직 다이’ 조기 생산 개시

삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램. (사진 출처 : 삼성전자)

삼성전자가 4㎚(나노미터, 10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 통해 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 두뇌 역할을 하는 ‘로직 다이’ 초도 물량 생산에 돌입한 것으로 파악됐습니다. 이번 생산 개시는 삼성전자가 HBM 시장에서의 경쟁력을 강화하기 위한 중요한 첫걸음으로 여겨집니다.

 

4㎚ 파운드리 공정은 반도체 제조에서 매우 중요한 기술입니다. 이 공정은 더 작고, 더 빠르며, 더 효율적인 반도체를 생산할 수 있게 해줍니다. 삼성전자는 이 공정을 통해 HBM4의 로직 다이를 생산함으로써, 메모리 시장에서의 기술적 우위를 점할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

 

HBM4는 이전 세대에 비해 더 높은 대역폭과 낮은 전력 소모를 자랑합니다. 이는 데이터 센터와 인공지능(AI) 분야에서의 성능 향상에 기여할 것으로 보입니다. 특히, HBM4의 로직 다이는 D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로, 겹겹이 적층된 D램을 제어하는 두뇌 역할을 담당합니다. 이러한 기술적 특징은 삼성전자가 고객사에 제공할 HBM4의 성능을 더욱 높여줄 것입니다.

 

그동안 HBM 시장에서 SK하이닉스에 주도권을 뺏긴 삼성전자는 올해 HBM4에 앞선 공정을 대거 투입해 반격에 나선다는 전략입니다. 경쟁사와의 비교에서 삼성전자는 기술력과 생산 능력에서 우위를 점하기 위해 지속적으로 연구개발에 투자하고 있습니다. 이러한 노력은 결국 시장 점유율을 높이는 데 기여할 것입니다.

 

미래 전망에 대해 이야기하자면, HBM4의 성공적인 생산과 공급은 삼성전자의 메모리 사업부에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. 데이터 센터와 AI 기술의 발전에 따라 HBM4의 수요는 더욱 증가할 것이며, 이는 삼성전자가 시장에서의 입지를 더욱 강화하는 데 도움이 될 것입니다. 또한, HBM4의 성능이 검증되면, 고객사와의 협력도 더욱 원활해질 것으로 보입니다.

 

삼성전자의 HBM4 로직 다이 생산 개시는 단순한 기술적 진보를 넘어, 향후 메모리 시장에서의 경쟁력을 높이는 중요한 계기가 될 것입니다. 앞으로의 행보가 기대됩니다.